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      電池片電抗光衰
      本設備的主要功能顯著抑制單晶硅太陽電池的光衰減效益,提高電池實際發電效益。
      這里要指出的是,所指的單晶硅電池或者相應組件的初始光衰減是由于硅片中由于含有硼、氧雜質所形成之復合缺陷導致的效應,而非由其他因素例如組件EVA及其他材料老化等因素造成的。
      初始光衰減效應與其他因素衰減之區別在于:初始光衰減效應會在電池曝露在標準光強(1000W/m2)下24小時之內基本完全表現出來;而其他因素導致之衰減通常需要數月或者數年之內緩慢顯現。
      經過本設備處理后
       1、適用范圍
             同一機臺可以處理傳統單晶、單晶、傳統多晶和多晶電池
       2、抗光衰效果:
             可以使傳統的單晶全鋁背電池:提效0.00-0.05%,光衰率≤1%
            背鈍化(PERC)單晶電池:0.00-0.05%1%,光衰率≤1%
            多晶全鋁背電池:平均效率提升0.1%,光率率1≤%
            背鈍化(PERC)多晶電池:平均效率提升0.1%以上,光衰抑制率70%以上
      3、產能匹配    
           每小時產能:≥3000
      單軌  
                                  ≥6000
      雙軌
      4、設備可靠性
            碎片率≤0.05%,開機率≥98%
      5、精確熱場控制
            電池衰減性能一致性佳,降低組件功損
      6、單料盒疊片數少
          更容易控溫
          單個腔體內的電池片加熱均勻性好,利于找到最優工藝條件

      7、經過電注入后的電池片光衰一致性好,排除組件有明暗片的情況



      抗光衰技術方案對比:
        光熱法 巨能電注入法
      產能連接方式 單片過隧道爐,離線/在線設備 疊片處理,離線/在線設備
      單多晶通用性 只能處理單晶,多晶作用不大 單/多晶通用,普通/PERC通用
      處理增益 無或者略微 傳統多晶>+0.1%
      PERC多晶>+0.15%
      抗光衰性能 光衰率<2% 光衰率<1%一致性好
      能耗 能耗高,50-200KW 能耗低,10-20KW,約前者1/10
      耗材 燈管等易耗品 除電及壓縮空氣外無其他耗材
      綜合使用成本 成本較高 成本低

      抗光衰效果-1:
       
      巨能CIH技術使傳統單晶/PERC單晶光衰率低于1%

      抗光衰效果-2:
      抗光衰效果-3:
      組件端抗光衰效果:
      系統端發電量對比:

       

       
       

       

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